請選擇版本:  
産品搜索:
 
  無機分析
有機分析
材料分析
分子光譜分析
表面分析(電子光譜)
樣品前處理
物理測試設備
無鹵分析
螢光X-Ray分析
化學耗氧(COD)分析
氫氣純化暨儲藏裝置
在線(on-line)分析系統
實驗室規劃設計施工
LIMS實驗室資料整合系統
ELGA純水機系統
顧問代檢諮詢服務
 
     表面分析(電子光譜) > PHI >
PHI TRIFT V nanoTOF Time-of-flight SIMS

 

PHI TRIFT V nanoTOF Time-of-flight SIMS

特點說明:
   TOF-SIMS的原理是使用脈衝式離子射束,去導致固體樣品表面的原子及分子產生吸附及離子化,再經由被加速至二次離子質譜分析器,深度分析也是依此原理去剝蝕各層而分析各層結構。
● 五軸式電腦控制樣品平台
● 可做2D或3D的深度分佈圖
● 質譜的範圍廣泛
● 專利的雙射線束電性中和 :
   分析不導電樣品時,不需做特別的前置樣品準備
   自動分析多樣性之絕緣體樣品
● 配件多樣化可配備多達四種離子源 :
   C60離子槍、樣品溫度控制

產業應用材料,能源產業,電子,半導體產業


 
[关闭]
 
東莞公司
廣東省東莞市厚街鎮體育路發展大廈309室
電話: +86-769-85755380, +86-769-85755381
傳真: +86-769-85755376
昆山辦事處
江蘇省昆山市柏盧南路1250号雍景灣西苑6棟208室
電話: +86-512-57393383
傳真: +86-512-57393385
台灣公司
台北市110基隆路一段159号16樓
電話:+886-2-2746-7620
傳真:+886-2-2766-5176
 
Copyright @ 2008 A&B, Inc. All rights reserved.    粤ICP备08131241号